其中半导体是所述方法，以确定是否直接带隙或

时间：2019-10-19 16:51 来源：365bet娱乐网址阅读次数：

全部展开
间接禁带（Si，Ge等）的最小导带（导带背景）和k空间中不同位置的完整带的最大半导体材料。
半满能带的形成不仅需要能量吸收，还需要动量。
间接禁带的半导体材料，在各种空间k和（下部导向带的部分）的位置的最小导带具有最大带宽。
电子在状态k下的动量为（h / 2pi）k，k不同，力矩不同，需要将动量从一种状态更改为另一种状态。
因此，间接禁带半导体电子不仅吸收光子，而且还与晶体网络交换能量，从而导致间接跃迁。
随着声子的适当的释放或吸收，存在其中K向量电子波改变的情况下。
GaP是一种间接禁带半导体，通过间接跃迁发光。
但是，当将BPA晶体和GaAs晶体混合时，可以通过将GaAs1-xPx设置为x（0 这涉及到半导体的能带结构（EK比）。
所谓EK关系是能量和动量的关系。
在自由空间中粒子的动量越大，能量会增加。
然而，根据与晶体网络是电子的能量和动量之间的关系的潜在周期的作用，这将是更为复杂的。
对应于导带下部的力矩K不一定是对应于价带上部的力矩K，价带是禁带中的间接半导体。
由于导带的底部和最大价带不同时位于同一点，因此，如果电子从价带到这种半导体跃迁的导带吸收光子，则也可以节省能量和动量。是的。
换句话说，不仅光子能量大于带宽，而且相应的电子声子相互作用也会改变电子动量。
这是更难以达到这一要求。
因此，硅，间接光装置的半导体带隙是不够的。
不同于直接禁带半导体，您需要更改电子动量在导带的过渡时间。
锗和瓦伦西亚硅带的中心和简单布里渊区边界在布里渊区的中心和Ec方向导带的底部分别为100到0。布里渊区边界。
85倍，即，不同的最小导带和对应于波矢量的最大价带。
这种类型的半导体被称为禁止??停止间接带半导体。
直接禁带的半导体材料是在空间k中相同位置处的导带（导带）的最小值和最大价带。
产生电子和空穴导电性的导带到电子的过渡（填充介质的能带形成）仅吸收能量。

上一篇：IB物理咨询困难吗？如何在IB体检中获得高分？

下一篇：什么是民主选举？